靶材等静压成型模具，平面靶材等静压模具，旋转靶材等静压成型胶套，靶材等静压包套全套等静压模具，粉末冶金铸造法是溅射靶材的另一种重要制造工艺。对于钨钛靶这类由两种熔点差别较大的金属组成的合金靶材则会选择粉末烧结工艺。粉末冶金工艺一般选用高纯、超细粉末作为原料，并使用热等静压方法成型，而热等静压工艺具有容易获得均匀细晶组织的优点。而热等静压工艺具有容易获得均匀细晶组织的优点。

将金属粉末装入高温下易于变形的包套内，然后置于可密闭的缸体中(内壁配有加热体的高压容器)，关严缸体后用压缩机打入气体并通电加热。随着温度升高，缸内气体压力增大。粉末在这种各向均匀的压力和温度的作用下成为具有一定形状的制品。加压介质一般用氩气。常用的包套材料为金属(低碳钢、不锈钢、钛)，还可用玻璃和陶瓷。由于温度和等静压力的同时作用，可使许多种难以成形的材料达到或接近理论密度，并且晶粒细小，结构均匀，各向同性和具有优异的性能。热等静压法最适宜于生产硬质合金、粉末高温合金、粉末高速钢和金属铍等材料和制品;也可对熔铸制品进行二次处理，消除气孔和微裂纹;还可用来制造不同材质紧密粘接的多层或复合材料与制品。

　湿袋式冷等静压成型是利用液体介质不可压缩性和均匀传递压力性的一种成型方法；干袋式直接加压在工作袋表面上，把压力传递到橡胶弹性模具周围，使模腔的粉末制品成型。

溅射靶材行业的核心价值在于通过熔炼、提纯、加工和热处理等工艺对靶材的成分、微观组织结构、致密度和杂质等系列指标进行严格的控制，以满足溅射镀膜过程要求。靶材的质量水平会直接影响到沉积所得薄膜的均匀性和一致性，因此溅射靶材对纯度、致密度和组织均匀性等特性均有严格要求。靶材纯度方面，不同的下游应用要求会有所不同，超大规模集成电路芯片对溅射靶材的金属纯度的要求最高，通常要达到99.9995%（5N5）以上，平板显示器和太阳能电池等领域对金属纯度的要求略低，要求分别为99.999%（5N）和99.995%（4N5）。杂质会对沉积薄膜的构成污染，因此靶材的杂质含量也会有严格的标准要求。靶材的致密度与气孔的数量成反比，而气孔中的杂质气体在溅射过程中是污染源，因此靶材的致密度会对溅射的沉积速率、溅射膜粒子的密度和放电现象，以及薄膜的电学和光学性能有显著影响。靶材的成分，组织和晶粒度大小主要影响沉积薄膜的均匀性和质量的稳定性，成分和组织均匀性以及晶粒度大小等指标对于靶材的质量控制也是重中之重。

独立而成熟的生产制造技术和研发能力是高纯溅射靶材企业的立身之本。高纯溅射靶材行业以冶金提纯、塑形加工、热处理和机械加工等制造工艺过程为基础，信息技术等领域需求为导向，属于典型的技术密集型产业。半导体芯片，平板显示和信息储存等下游信息产业的产品更新快，技术日新月异，靶材制造企业作为上游关键材料的供应商也必须要求有充分的研发能力来同步更新其产品和技术。

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